| 000 | 00933nam0a22002411 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | rc\3712237 | ||
| 005 | 20130115152955.3 | ||
| 035 | _a(NLR Aleph) 007769156 | ||
| 090 |
_a7449578 _c7449578 |
||
| 100 | _a20130115d1972 |||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | _arus | |
| 102 | _aRU | ||
| 105 | _ay z ||||| | ||
| 200 | 1 |
_aО системах Si - SiO₂ и Ge - GeO₂ _fИн-т физики полупроводников. Всесоюз. семинар "Физ. химии поверхности монокристалл. полупроводников". Новосибирск. 2-6 окт. 1972 |
|
| 210 |
_a[Новосибирск _cБ. и. _d1972] |
||
| 215 |
_a[1], 10 с. _d20 |
||
| 320 | _aБиблиогр.: с. 9-10 | ||
| 700 | 1 |
_aСвиташев _bК. К. _f1936- _gКонстантин Константинович |
|
| 801 | 0 |
_aRU _bNLR _gpsbo |
|
| 801 | 1 |
_aRU _bELAR _2rusmarc |
|
| 852 |
_aNLR _j72-4/34419 |
||
| 942 | _cBOOK | ||
| 980 | _aNB | ||