000 02155nam0a2200373 4500
001 RU\NLR\bibl\1339560
005 20250615170115.0
010 _a978-5-94170-228-2
_9120
021 _aRU
_b2008-107880
_96360
035 _a(nilc)RSL-KNO-004179085
035 _a(NLR Aleph) 001324733
090 _a762465
_c762465
100 _a20090111d2008 |||y0rusy50 ca
101 0 _arus
102 _aRU
105 _aa |||||||||
200 1 _aМетоды и средства исследования активных диэлектриков для наноиндустрии: системный подход
_eмонография
_fЕ. А. Печерская
_gФедер. агентство по образованию, Гос. образоват. учреждение высш. проф. образования "Пенз. гос. ун-т" (ПГУ)
210 _aПенза
_cИИЦ ПГУ
_d2008
215 _a129 с.
_cил.
_d21
320 _aБиблиогр.: с. 124-129 (71 назв.)
606 1 _aНаноструктуры
_xИсследование
_92424071
_3RU\NLR\auth\661443366
606 1 _aАктивные диэлектрики
_xПрименение в радиоэлектронике
_92280624
_3RU\NLR\auth\661366416
610 0 _aФизико-математические науки -- Физика -- Физика твердого тела. Кристаллография -- Физика диэлектриков -- Электрические свойства диэлектриков -- Пьезоэлектрические и сегнетоэлектрические явления. Физика пьезоэлектриков и сегнетоэлектриков -- Тонкие слои сегнетоэлектриков -- Методы исследования
686 _aВ379.371.7-6с,0
_2rubbk
686 _aЗ844.1-01
686 _aЗ843.4-1
700 1 _aПечерская
_bЕ. А.
_gЕкатерина Анатольевна
_4070
801 0 _aRU
_bРКП
_c20090111
801 1 _aRU
_bРГБ
_c20090111
801 2 _aRU
_bNLR
_c20090312
_grcr
942 _cBOOK
980 _aNB
980 _aNBR