000 01444nam0a22003131 4500
001 rc\33886
005 20250612172505.0
035 _a(NLR Aleph) 008751570
090 _a7810574
_c7810574
100 _a20021216d1991 |||y0rusy50 ca
101 0 _arus
102 _aRU
105 _aa |||||||||
200 1 _aЧисленное моделирование диффузии примесей III и V групп в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации
_fТ.В. Бондарева, В.И. Кольдяев, Л.Н. Александров
210 _aНовосибирск
_cИн-т физики полупроводников
_d1991
215 _a[1], 20 c.
_cил.
_d19
225 1 _aПрепринт
_fАН СССР. Сиб. отд-ние. Ин-т физики полупроводников
_v4
320 _aБиблиогр.: с. 16-17
606 1 _aКремний
_xЛегирование ионное
_2nlr_sh1
606 1 _aКремний
_xПримеси
_xДиффузия
_2nlr_sh1
700 1 _aБондарева
_bТ.В.
_gТатьяна Владимировна
701 1 _aКольдяев
_bВ.И.
_gВиктор Исаакович
701 1 _aАлександров
_bЛ.Н.
_gЛеонид Наумович
801 0 _aRU
_bNLR
_gpsbo
801 1 _aRU
_bELAR
_2rusmarc
801 2 _aRU
_bNLR
_c20050524
_2rusmarc
852 _aNLR
_j91-4/9815
942 _cBOOK
980 _aNB