000 01016nam0a22002771 4500
001 rc\656992
005 20250612172632.0
035 _a(NLR Aleph) 008752241
090 _a7814467
_c7814467
100 _a20031121d1986 |||y0rusy50 ca
101 0 _arus
102 _aRU
105 _aa |||||||||
200 1 _aЭЛЕКТРОПОГЛОЩЕНИЯ монокристаллов TlGaS₂xSe₂₍₁-x₎
_fГ.Д. Гусейнов, С.С. Абдинбеков, А.М. Рамазанзаде, С.Б. Кязимов
210 _aБаку
_cБ. и.
_d1986
215 _a36 с.
_cил.
_d20
225 1 _aПрепринт
_fАН АзССР, Ин-т физики, Азерб. политехн. ин-т им. Ч. Ильдрыма
_v№ 4
300 _aРез. на англ. яз.
320 _aБиблиогр.: с. 35-36
701 1 _aГусейнов
_bГ.Д.
801 0 _aRU
_bNLR
_gpsbo
801 1 _aRU
_bELAR
_2rusmarc
801 2 _aRU
_bNLR
_c20040511
_2rusmarc
852 _aNLR
_j88-4/18699
942 _cBOOK
980 _aNB