000 01129nam0a22002531 4500
001 rc\168101
005 20250612175748.0
035 _a(NLR Aleph) 008766878
090 _a7899624
_c7899624
100 _a20030307d1991 |||y0rusy50 ca
101 0 _arus
102 _aRU
105 _aa |||||||||
200 1 _aМоделирование роста и легирования полупроводниковых пленок методами Монте-Карло
_fЛ.Н. Александров, Р.В. Бочкова, А.Н. Коган, Н.П. Тихонова
_gОтв. ред. д. ф.-м. н., проф. С.И. Стенин
_gАН СССР. Сиб отд-ние. Ин-т физики полупроводников
210 _aНовосибирск
_cНаука. Сиб. отд-ние
_d1991
215 _a167 с.
_cил.
_d21
320 _aБиблиогр.: с. 150-162
606 1 _aПолупроводниковые пленки
_xВыращивание
_2nlr_sh1
801 0 _aRU
_bNLR
_gpsbo
801 1 _aRU
_bELAR
_2rusmarc
801 2 _aRU
_bNLR
_c20050504
_2rusmarc
852 _aNLR
_j91-5/3512
942 _cBOOK
980 _aNB