000 01165nam0a22002891 4500
001 rc\262813
005 20250612180212.0
035 _a(NLR Aleph) 008768971
090 _a7912023
_c7912023
100 _a20030307d1991 |||y0rusy50 ca
101 0 _arus
102 _aRU
105 _aa |||||||||
200 1 _aРЕЛАКСАЦИОННЫЕ методы определения электрофизических параметров поверхностно-барьерных структур
_fВ.А. Гусев, Т.В. Паничевская, А.В. Саченко, В.И. Турчаников
210 _aКиев
_cБ. и.
_d1991
215 _a30 с.
_cил.
_d20
225 1 _aПрепринт
_fАН УССР. Ин-т полупроводников
_v9-91
300 _aРез. на англ. яз.
320 _aБиблиогр.: с. 29-30
606 1 _aПолупроводники
_xПоверхностные явления электронные
_2nlr_sh1
701 1 _aГусев
_bВ.А.
801 0 _aRU
_bNLR
_gpsbo
801 1 _aRU
_bELAR
_2rusmarc
801 2 _aRU
_bNLR
_c20050516
_2rusmarc
852 _aNLR
_j91-4/15469
942 _cBOOK
980 _aNB