| 000 | 00886nam0a22002891 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | RU\NLR\INFOCOMM_190\5000029862 | ||
| 005 | 20250613091130.0 | ||
| 035 | _a(NLR Aleph) 009092865 | ||
| 090 |
_a8052942 _c8052942 |
||
| 100 | _a20081229d1981 |||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | _aeng | |
| 102 | _aRU | ||
| 105 | _aa ||||000|y | ||
| 200 | 1 |
_aSemiconductor lasers _fN. G. Basov |
|
| 210 |
_aМ. _d1981 |
||
| 215 |
_a[1], 21 с. _cил. _d20 см |
||
| 225 | 1 |
_aPreprint _fAcad. of sciences of the USSR, P. N. Lebedev phys. inst. _v№ 160 |
|
| 320 | _aБиблиогр.: с. 19-20 | ||
| 606 |
_aЛазеры полупроводниковые _2nlr_sh1 |
||
| 686 |
_a386-531.6 _2rubbk |
||
| 700 | 1 |
_aBasov _bN. G. _f1922-2001 _gNikolaj Gennadievič _4070 |
|
| 801 | 1 |
_aRU _bNLR _c20081229 |
|
| 801 | 0 |
_aRU _bNLR _gPSBO |
|
| 852 |
_aNLR _jТ95 Д-4/141 |
||
| 942 | _cBOOK | ||
| 980 | _aNB | ||