000 01031nam0a22002891 4500
001 RU\NLR\INFOCOMM_178\5000018769
005 20250613091433.0
035 _a(NLR Aleph) 009108577
090 _a8146098
_c8146098
100 _a20090204d1991 |||y0rusy50 ca
101 0 _aeng
102 _aRU
105 _aa ||||000|y
200 1 _aBehavior of high-T_c Ba_l-xK_x BiO₃ in microwave field
_fBy N. V. Anshukova, A. I. Golovashkin, A. M. Tskhovrebov et al.
210 _aМ.
_d1991
215 _a17 с.
_cграф.
_d20 см
225 1 _aPreprint
_fAcad. of sciences of the USSR, P. N. Lebedev phys. inst. Criogenic dep.
_iSolid state physics
_vN 124
320 _aБиблиогр.: с. 16
606 _aСверхпроводники высокотемпературные
_2nlr_sh1
686 _aВ332.211
_2rubbk
701 1 _9z04790
_aAnshukova
_bN. V.
_4070
790 1 _9z04701
_aAnšukova
_bN. V.
_4070
801 1 _aRU
_bNLR
_c20090204
801 0 _aRU
_bNLR
_gPSBO
852 _aNLR
_jФз01 Д-4/6577
942 _cBOOK
980 _aNB