000 01589nam0a2200421 4500
001 RU\NLR\bibl\447852
005 20260503054616.0
010 _a5-94010-214-X
_91000
021 _aRU
_b2003-35551
_91687
035 _a(NLR Aleph) 000441506
090 _a817084
_c817084
100 _a20030908d2003 |||y0rusy50 ca
101 0 _arus
_deng
102 _aRU
105 _aa |||||||||
200 1 _aЗакономерности образования структурных дефектов в полупроводниковых А2B6
_fЮ. Ю. Логинов, Пол Д. Браун, Кен Дьюроуз
210 _aМ.
_cЛогос
_d2003
215 _a302, [1] с.
_cил.
_d22
300 _aРез. на англ. яз.
320 _aБиблиогр.: с. 282-303
606 0 _aПолупроводники
_xДефекты
_92085321
_3RU\NLR\auth\661261436
610 0 _aПолупроводники - Дефекты
610 0 _aКремний - Монокристаллы - Облучение
675 _a548.571:538.95
_v3
_zrus
686 _a31.15
_2rugasnti
686 _a22.37
_2rubbk
686 _aЗ843.325.04
700 1 _4070
_aЛогинов
_bЮ. Ю.
_cд-р физ.-мат. наук
_gЮрий Юрьевич
_3RU\NLR\AUTH\770129206
_9129175
701 1 _aБраун
_bП. Д.
_gПол Д.
_4070
701 1 _aДьюроуз
_bК.
_gКен
_4070
801 0 _aRU
_bRKP
_c20030908
_gPSBO
801 1 _aRU
_bRKP
_c20030908
801 2 _aRU
_bNLR
_c20031209
_grcr
830 _aАвт. по кн.
942 _cBOOK
980 _aNB