| 000 | 01112nam2a22002531 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | rc\4318975 | ||
| 005 | 20250611154723.0 | ||
| 021 |
_aRU _bП106-70 |
||
| 035 | _a(NLR Aleph) 008265128 | ||
| 090 |
_a8421334 _c8421334 |
||
| 100 | _a20130416d1969 |||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | _arus | |
| 102 | _aRU | ||
| 105 | _ay z ||||| | ||
| 200 | 0 | _aЧ. 3 | |
| 210 |
_d1969 _aБ. м. |
||
| 215 | _a29 с. | ||
| 225 | 1 |
_a... _vТУЛ № 24 (71) _i... |
|
| 461 | 0 |
_1001rc\4318972 _12001#$aОбъемные эффекты в полупроводниках$e(Эффект Ганна)$fСост. И.А. Величковский$gНауч. ред. В.Б. Бердавцев. Ч. 1-3$vЧ. 3 _1700#1$aВеличковский$bИ.А.$gИгорь Александрович$4220 _98421317 _aВеличковский, И.А. _cМосква _d1968-1969 _fСост. И.А. Величковский _nБ. и. _o(Эффект Ганна) _p3 т. _tОбъемные эффекты в полупроводниках _vЧ. 3 |
|
| 801 | 0 |
_aRU _bNLR _gpsbo |
|
| 801 | 1 |
_aRU _bELAR _2rusmarc |
|
| 852 |
_aNLR _jС315-410/Т-32 |
||
| 942 | _cBOOK | ||
| 980 | _aNB | ||