000 01005nam0a22003011 4500
001 rc\4965445
005 20250612214833.0
021 _aRU
_b68-84061
021 _aRU
_bРг126-69
035 _a(NLR Aleph) 008864251
090 _a8480741
_c8480741
100 _a20130426d1968 |||y0rusy50 ca
101 1 _arus
_cund
102 _aRU
105 _aa z |||||
200 1 _aВлияние поверхностной рекомбинации и каналов на характеристики P-N переходов и транзисторов
210 _aБ. м.
_cБ. и.
_d1968
215 _a50 с.
_cчерт.
_d22
225 1 _aПеревод
_v№ 3569 (68)
300 _aПер. из: IRE. Trans. on Electron devices, 1962, 1, vol. Eb-9, № 1
300 _aОтпеч. множит. аппаратом
320 _aБиблиогр.: с. 45-50
700 1 _aСа
_bС.Т.
801 0 _aRU
_bNLR
_gpsbo
801 1 _aRU
_bELAR
_2rusmarc
852 _aNLR
_j69-6/18
942 _cBOOK
980 _aNB