000 01159nam0a22003251 4500
001 RU\NLR\INFOCOMM_253\5000043333
005 20250613100313.0
035 _a(NLR Aleph) 009334787
090 _a9475680
_c9475680
100 _a20101018d1969 |||y0rusy50 ca
101 0 _aeng
102 _aRU
105 _aa ||||000|y
200 1 _aFast timing circuit using a charge storage diode
_fL. Ondriš, S. V. Richvickij, I. N. Semenyushkin [a. o.]
210 _aДубна
_d1969
215 _a15 с.
_cил.
_d22 см
225 1 _aˆ[‰Издания]
_fОбъедин. ин-т ядерных исследований; Лаборатория высоких энергий
_vT13-4697
309 _aОтпеч. множит. аппаратом
320 _aБиблиогр.: с. 7
686 _aФз-1525[В381.54]
_2rubbk
701 1 _aOndriš
_bL.
_4070
701 1 _9z03790
_aRičvickij
_bS. V.
_4070
701 1 _9z04790
_aSemenjuškin
_bI. N.
_4070
790 1 _9z03701
_aRichvickij
_bS. V.
_4070
790 1 _9z04701
_aSemenyushkin
_bI. N.
_4070
801 1 _aRU
_bNLR
_c20101018
801 0 _aRU
_bNLR
_gPSBO
852 _aNLR
_jP11/3130
942 _cBOOK
980 _aNB