000 01118nam0a22003251 4500
001 RU\NLR\INFOCOMM_116\5000052310
005 20250613085948.0
090 _a9567144
_c9567144
100 _a20080829d1989 |||y0rusy50 ca
101 0 _aeng
102 _aRU
105 _aa z 000zy
200 1 _aMethod of spin-marking in semiconductors
_fP. A. Aleksandrov, S. M. Jakubenya
210 _aМoscow
_cI. V. Kurchatov institute of atomic energy
_d1989
215 _a9 с.
_cграф.
_d22 см
225 1 _aI. V. Kurchatov institute of atomic energy
_vIAE-4950/9
300 _aНадзаг. также на рус. яз.
320 _aБиблиогр.: с. 8-9
606 _aПолупроводники
_xДефекты
_2nlr_sh1
686 _aВ379.212.2
_2rubbk
700 1 _aAleksandrov
_bP. A.
_gPetr Anatol'evič
_4070
701 1 _9z02790
_aJakubenja
_bS. M.
_gSergej Michajlovič
_4070
790 1 _9z02701
_aJakubenya
_bS. M.
_4070
852 _aNLR
_jФз01 Д-6/725
942 _cBOOK
943 _oPUBLIC