Синтез, свойства и применение диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах
2011-7/6476 2011-7/6476 - 400 экз.978-5-7692-1183-6/[2011-90074]/русский (rus)/Синтез, свойства и применение диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах = Synthesis, properties and applications of dielectrics with high dielectric constant in silicon based devices / [В.А. Гриценко, А.П. Елисеев, М.В. Иванов и др.] ; отв. ред. А. Л. Асеев, В. А. Гриценко ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников им. А.В. Ржанова [и др.].Синтез, свойства и применение диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах / [В.А. Гриценко, А.П. Елисеев, М.В. Иванов и др.].Синтез, свойства и применение диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах = Synthesis, properties and applications of dielectrics with high dielectric constant in silicon based devices.Новосибирск/Изд-во Сибирского отд-ния Российской акад. наук/, 2011 ( ). - Изд-во Сибирского отд-ния Российской акад. наук, 2011. - 157 с. : ил., табл. ; 25 см. - (Интеграционные проекты СО РАН = SB Ras Integrated Projects / рекол.: акад. В.М. Фомин (гл. ред.) [и др.] ; вып. 31).Синтез, свойства и применение диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах. Новосибирск, 2011 .
Авт. указаны на обороте тит.л. - В надзаг. также: Ин-т неорг. химии им. А.В. Николаева, Ин-т катализа им. Г.К. Борескова, Ин-т автоматики и электрометрии, Ин-т геологии и минералогии им. В.С. Соболева. - Библиогр. в конце гл. Библиогр. в конце гл.Synthesis, properties and applications of dielectrics with high dielectric constant in silicon based devices/Флэш-память/Запоминающие устройства -- Материалы/Диэлектрики -- Применение в микроэлектронике/З843.41,0/З973.2-045.2/Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова (Новосибирск)/
Авт. указаны на обороте тит.л. - В надзаг. также: Ин-т неорг. химии им. А.В. Николаева, Ин-т катализа им. Г.К. Борескова, Ин-т автоматики и электрометрии, Ин-т геологии и минералогии им. В.С. Соболева. - Библиогр. в конце гл. Библиогр. в конце гл.Synthesis, properties and applications of dielectrics with high dielectric constant in silicon based devices/Флэш-память/Запоминающие устройства -- Материалы/Диэлектрики -- Применение в микроэлектронике/З843.41,0/З973.2-045.2/Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова (Новосибирск)/