Полевые транзисторы на арсемиде галлия, Принципы работы и технология изготовления
88-5/5956 Т1 З85/П-491 - 10000 экз.5-256-00136-1/русский (rus)/Полевые транзисторы на арсемиде галлия : Принципы работы и технология изготовления / [П.Ф. Линдквист, У.М. Форд, Л. Холлан и др.] ; Под ред. Д.В. Ди Лоренцо, Д.Д. Канделуола ; Перевод с англ. Г.В. Петрова.Полевые транзисторы на арсемиде галлия : Принципы работы и технология изготовления / [П.Ф. Линдквист, У.М. Форд, Л. Холлан и др.].Полевые транзисторы на арсемиде галлия : Принципы работы и технология изготовления.М./Радио и связь/, 1988 ( ). - Радио и связь, 1988. - 494, [1] с. : ил. ; 22 см.Полевые транзисторы на арсемиде галлия : Принципы работы и технология изготовления. М., 1988 .
Авт. указаны в огл. - Библиогр.: с. 439-490. - Перевод. изд.: Gats fet principles and technology (Artesh House, inc.). Библиогр.: с. 439-490. Перевод. изд.: Gats fet principles and technology (Artesh House, inc.).
Авт. указаны в огл. - Библиогр.: с. 439-490. - Перевод. изд.: Gats fet principles and technology (Artesh House, inc.). Библиогр.: с. 439-490. Перевод. изд.: Gats fet principles and technology (Artesh House, inc.).