Процессы множественного двойникования и особые свойства Σ=3n границ в ГЦК кристаллах
90-6/1977 русский (rus)/Процессы множественного двойникования и особые свойства Σ=3n границ в ГЦК кристаллах / Ч.В. Копецкий, А.В. Андреева, Г.Д. Сухомлин.Процессы множественного двойникования и особые свойства Σ=3n границ в ГЦК кристаллах / Ч.В. Копецкий, А.В. Андреева, Г.Д. Сухомлин.Процессы множественного двойникования и особые свойства Σ=3n границ в ГЦК кристаллах.Черноголовка/Б. и./, 1990 ( ). - Б. и., 1990. - 52 с. : ил. ; 21 см. - (Препринт / АН СССР. Ин-т пробл. технологии микроэлектроники и особо чистых материалов).Процессы множественного двойникования и особые свойства Σ=3n границ в ГЦК кристаллах. Черноголовка, 1990 .
Библиогр.: с. 50-52. Библиогр.: с. 50-52.
Библиогр.: с. 50-52. Библиогр.: с. 50-52.