Легирование полупроводников методом ядерных реакций
81-5/3162 русский (rus)/Легирование полупроводников методом ядерных реакций / [Л.С. Смирнов, С.П. Соловьев, В.Ф. Стась, В.А. Харченко] ; Отв. ред. Л.С. Смирнов.Легирование полупроводников методом ядерных реакций / [Л.С. Смирнов, С.П. Соловьев, В.Ф. Стась, В.А. Харченко].Легирование полупроводников методом ядерных реакций.Новосибирск/Наука. Сиб. отд-ние/, 1981 ( ). - Наука. Сиб. отд-ние, 1981. - 181 с. : ил. ; 21 см.Легирование полупроводников методом ядерных реакций. Новосибирск, 1981 .
Авт. указаны на обороте тит. л. - В надзаг.: АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников. - Библиогр. в конце глав. Библиогр. в конце глав.Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова (Новосибирск)/
Авт. указаны на обороте тит. л. - В надзаг.: АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников. - Библиогр. в конце глав. Библиогр. в конце глав.Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова (Новосибирск)/