Ионно-лучевой метод введения примесей в полупроводниковой технологии
С315-410/Т-32 [П2724-71]/русский (rus)/Ионно-лучевой метод введения примесей в полупроводниковой технологии / Сост.: Пинес, Г.Э., Рокицкая, Я.П.Ионно-лучевой метод введения примесей в полупроводниковой технологии / Сост.: Пинес, Г.Э., Рокицкая, Я.П.Ионно-лучевой метод введения примесей в полупроводниковой технологии.Москва/Б. и./, 1970 ( ). - Б. и., 1970. - 52 с. ; 21 см. - (Министерство электронной промышленности СССР. Институт "Электроники". Тематические указатели литературы ; Вып. 134 ; 2 [1]).Ионно-лучевой метод введения примесей в полупроводниковой технологии. Москва, 1970 .
Использованные источники: с. 50-51. Использованные источники: с. 50-51.
Использованные источники: с. 50-51. Использованные источники: с. 50-51.