Описание RUSMARC Карточка

Закономерности образования структурных дефектов в полупроводниковых А2B6

2003-5/6694 2003-5/6694 - 1000 экз.5-94010-214-X/[2003-35551]/русский (rus)/Закономерности образования структурных дефектов в полупроводниковых А2B6 / Ю. Ю. Логинов, Пол Д. Браун, Кен Дьюроуз.Закономерности образования структурных дефектов в полупроводниковых А2B6 / Ю. Ю. Логинов, Пол Д. Браун, Кен Дьюроуз.Закономерности образования структурных дефектов в полупроводниковых А2B6.М./Логос/, 2003 ( ). - Логос, 2003. - 302, [1] с. : ил. ; 22 см.Закономерности образования структурных дефектов в полупроводниковых А2B6. М., 2003 .
     Рез. на англ. яз. - Библиогр.: с. 282-303. Библиогр.: с. 282-303.Полупроводники -- Дефекты/31.15/22.37/З843.325.04/ Логинов, Ю. Ю., Юрий Юрьевич (д-р физ.-мат. наук; ).Ю. Ю.Юрий ЮрьевичБраун, Пол Д. /Дьюроуз, Кен /
Связаться с нами:

тел.: 8-800-100-01-96 , 8(812)310-71-37

e-mail: office@nlr.ru