Влияние поверхностной рекомбинации и каналов на характеристики P-N переходов и транзисторов
69-6/18 [68-84061]/[Рг126-69]/русский (rus)/Влияние поверхностной рекомбинации и каналов на характеристики P-N переходов и транзисторов .Влияние поверхностной рекомбинации и каналов на характеристики P-N переходов и транзисторов.Влияние поверхностной рекомбинации и каналов на характеристики P-N переходов и транзисторов.Б. м./Б. и./, 1968 ( ). - Б. и., 1968. - 50 с. : черт. ; 22 см. - (Перевод ; № 3569 (68)).Влияние поверхностной рекомбинации и каналов на характеристики P-N переходов и транзисторов. Б. м., 1968 .
Пер. из: IRE. Trans. on Electron devices, 1962, 1, vol. Eb-9, № 1. - Отпеч. множит. аппаратом. - Библиогр.: с. 45-50. Библиогр.: с. 45-50.
Пер. из: IRE. Trans. on Electron devices, 1962, 1, vol. Eb-9, № 1. - Отпеч. множит. аппаратом. - Библиогр.: с. 45-50. Библиогр.: с. 45-50.