Получение и моделирование свойств наноструктурированных материалов и BAX диодов с барьером Шоттки на основе SiC (наноматериалы экстремальной электроники - от SiC;GaN и до алмаза) : монография / В. И. Алтухов, Р. Х. Дадашев, А. В. Санкин ; ФГБОУ ВО "Чеченский государственный университет", Академия наук Чеченской Республики, КНИИ РАН, Северо-Кавказский федеральный университет
Язык: русский.Выходные данные: Пятигорск : СКФУ, Грозный : Изд-во ФГБОУ ВО "Чеченский государственный университет", СКФУ, 2020Физическая характеристика: 172, [1] с. : ил., портр., табл. ; 21 см.ISBN: 9785911272708 Примечания: На с. 172 авт.: Алтухов В.И. - д.ф.-м.н., проф., д.чл. РАЕН, акад. РАЕ, Дадашев Р.Х. - д.ф.-м.н., проф., акад. Акад. наук Чечен. Респ., заслуж. деят. науки ЧР, Санкин А.В..Библиография: Библиогр.: с. 132-145.Предметная рубрика - Тема: Шоттки диоды -- Характеристики | Диоды кремниевые -- Вольтамперные характеристики | Карборунд -- Наноструктуры | Нанокристаллические материалы -- Физические свойства Другие классификации: З852.2-016 ; З843.323.04 ; Ж366.063 Тип экземпляра: КнигаНет реальных экземпляров для этой записи
На с. 172 авт.: Алтухов В.И. - д.ф.-м.н., проф., д.чл. РАЕН, акад. РАЕ, Дадашев Р.Х. - д.ф.-м.н., проф., акад. Акад. наук Чечен. Респ., заслуж. деят. науки ЧР, Санкин А.В.
Библиогр.: с. 132-145