Модели и расчеты особенностей свойств материалов, их структур, элементов силовой электроники (от SiC, SiC-AIN, GaN и до алмаза), монография, к 310-летию со дня рождения М. В. Ломоносова (1711-1765) и 300-летию создания Российской АН - 1724 год
2022-7/2893 2022-7/2893 - 500 экз.978-5-6046722-4-2/[КН-П-21-093227]/русский (rus)/Модели и расчеты особенностей свойств материалов, их структур, элементов силовой электроники (от SiC, SiC-AIN, GaN и до алмаза) = Models and calculations of the properties of materials, their structures, elements of power electronics (from SiC, SiC-AIN, GaN to diamond) : монография : к 310-летию со дня рождения М. В. Ломоносова (1711-1765) и 300-летию создания Российской АН - 1724 год / В. И. Алтухов, А. В. Санкин ; Министерство образования и науки Российской Федерации, Северо-Кавказский федеральный университет.Модели и расчеты особенностей свойств материалов, их структур, элементов силовой электроники (от SiC, SiC-AIN, GaN и до алмаза) : монография : к 310-летию со дня рождения М. В. Ломоносова (1711-1765) и 300-летию создания Российской АН - 1724 год / В. И. Алтухов, А. В. Санкин.Модели и расчеты особенностей свойств материалов, их структур, элементов силовой электроники (от SiC, SiC-AIN, GaN и до алмаза) = Models and calculations of the properties of materials, their structures, elements of power electronics (from SiC, SiC-AIN, GaN to diamond) : монография : к 310-летию со дня рождения М. В. Ломоносова (1711-1765) и 300-летию создания Российской АН - 1724 год.Москва/Пятигорск/СКФУ/, 2021 ( ). - СКФУ, 2021. - 659 с. : ил., цв. ил. ; 24 см.Модели и расчеты особенностей свойств материалов, их структур, элементов силовой электроники (от SiC, SiC-AIN, GaN и до алмаза) : монография : к 310-летию со дня рождения М. В. Ломоносова (1711-1765) и 300-летию создания Российской АН - 1724 год. Москва, Пятигорск, 2021 .
Авт. также англ.: V.I. Altukhov, A.V. Sankin. - На 4-й с. обл. авт.: Алтухов В.И. — д-р физ.-мат. наук, проф., действ. чл. РАЕН, акад. РАЕ, Санкин А.В. — действ. чл. РАЕН. - Библиогр.: с. 526-578. - Осн. тр. авт.: с. 579-582. Библиогр.: с. 526-578. Осн. тр. авт.: с. 579-582.Models and calculations of the properties of materials, their structures, elements of power electronics (from SiC, SiC-AIN, GaN to diamond)/Силовая электроника -- Физические основы/Карборунд -- Наноструктуры/Карборунд -- Монокристаллы -- Производство/Наноэлектроника -- Физические основы/Сегнетоэлектрики -- Кристаллы/nlr_sh2/nlr_sh2/nlr_sh1/nlr_sh2/nlr_sh2/nlr_sh1/nlr_sh2/З264.5/З843.323/З844.1-01/Altuchov , Viktor Ivanovič (1943-)./Sankin , Aleksandr Viktorovič (1956-)./
Авт. также англ.: V.I. Altukhov, A.V. Sankin. - На 4-й с. обл. авт.: Алтухов В.И. — д-р физ.-мат. наук, проф., действ. чл. РАЕН, акад. РАЕ, Санкин А.В. — действ. чл. РАЕН. - Библиогр.: с. 526-578. - Осн. тр. авт.: с. 579-582. Библиогр.: с. 526-578. Осн. тр. авт.: с. 579-582.Models and calculations of the properties of materials, their structures, elements of power electronics (from SiC, SiC-AIN, GaN to diamond)/Силовая электроника -- Физические основы/Карборунд -- Наноструктуры/Карборунд -- Монокристаллы -- Производство/Наноэлектроника -- Физические основы/Сегнетоэлектрики -- Кристаллы/nlr_sh2/nlr_sh2/nlr_sh1/nlr_sh2/nlr_sh2/nlr_sh1/nlr_sh2/З264.5/З843.323/З844.1-01/Altuchov , Viktor Ivanovič (1943-)./Sankin , Aleksandr Viktorovič (1956-)./