Подробности
| 000 -МАРКЕР |
|---|
| контрольное поле |
05845nam0a2200637 4500 |
| 001 - ИДЕНТИФИКАТОР ЗАПИСИ |
|---|
| контрольное поле |
RU\NLR\BIBL_A\012764260 |
| 005 - ИДЕНТИФИКАТОР ВЕРСИИ |
|---|
| контрольное поле |
20220721160152.0 |
| 010 ## - МЕЖДУНАРОДНЫЙ СТАНДАРТНЫЙ НОМЕР КНИГИ (ISBN) |
|---|
| Номер (ISBN) |
978-5-6046722-4-2 |
| Тираж |
500 |
| 021 ## - НОМЕР ГОСУДАРСТВЕННОЙ РЕГИСТРАЦИИ |
|---|
| Код страны |
российская федерация |
| Номер |
КН-П-21-093227 |
| Номер Листа государственной регистраци |
КН-П-21-7437 |
| 035 ## - ДРУГИЕ СИСТЕМНЫЕ НОМЕРА |
|---|
| Идентификатор записи |
(NLR Aleph) 012764260 |
| 035 ## - ДРУГИЕ СИСТЕМНЫЕ НОМЕРА |
|---|
| Идентификатор записи |
(RuMoRGB)010940296 |
| 100 ## - ДАННЫЕ ОБЩЕЙ ОБРАБОТКИ |
|---|
| Данные общей обработки |
20220418d2021 k y0rusy50 ca |
| 101 0# - ЯЗЫК РЕСУРСА |
|---|
| Язык текста, звукозаписи и т.д. |
русский |
| 102 ## - СТРАНА ПУБЛИКАЦИИ ИЛИ ПРОИЗВОДСТВА |
|---|
| Страна публикации |
российская федерация |
| 105 ## - ПОЛЕ КОДИРОВАННЫХ ДАННЫХ: ТЕКСТОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ, МОНОГРАФИЧЕСКИЕ |
|---|
| Кодированные данные о монографическом текстовом документе |
a|||z|||010zy |
| 181 #0 - ПОЛЕ КОДИРОВАННЫХ ДАННЫХ: ВИД СОДЕРЖАНИЯ |
|---|
| Код вида содержания (ISBD) |
i3 |
| Код характеристики содержания (ISBD) |
axxe |
| 182 #0 - ПОЛЕ КОДИРОВАННЫХ ДАННЫХ: ТИП СРЕДСТВА |
|---|
| Код типа средства (ISBD) |
n - непосредственное |
| 200 1# - ЗАГЛАВИЕ И СВЕДЕНИЯ ОБ ОТВЕТСТВЕННОСТИ |
|---|
| Основное заглавие |
Модели и расчеты особенностей свойств материалов, их структур, элементов силовой электроники (от SiC, SiC-AIN, GaN и до алмаза) |
| Параллельное заглавие |
Models and calculations of the properties of materials, their structures, elements of power electronics (from SiC, SiC-AIN, GaN to diamond) |
| Сведения, относящиеся к заглавию |
монография |
| -- |
к 310-летию со дня рождения М. В. Ломоносова (1711-1765) и 300-летию создания Российской АН - 1724 год |
| Первые сведения об ответственности |
В. И. Алтухов, А. В. Санкин |
| Последующие сведения об ответственности |
Министерство образования и науки Российской Федерации, Северо-Кавказский федеральный университет |
| Язык параллельного заглавия |
английский |
| 203 ## - ВИД СОДЕРЖАНИЯ И ТИП СРЕДСТВА |
|---|
| Вид содержания |
Текст |
| Дополнительные сведения об издании |
визуальный |
| Тип средства |
непосредственный |
| 210 ## - ПУБЛИКАЦИЯ, РАСПРОСТРАНЕНИЕ И ДР. |
|---|
| Место издания, распространения и т.д. |
Москва |
| -- |
Пятигорск |
| Имя издателя, распространителя и т. д. |
СКФУ |
| Дата издания, распространения и т.д. |
2021 |
| 215 ## - ФИЗИЧЕСКАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА |
|---|
| Специфическое обозначение материала и объем |
659 с. |
| Другие сведения о физической характеристике |
ил., цв. ил. |
| Размеры |
24 |
| 300 ## - ОБЩИЕ ПРИМЕЧАНИЯ |
|---|
| Текст примечания |
Авт. также англ.: V.I. Altukhov, A.V. Sankin |
| 300 ## - ОБЩИЕ ПРИМЕЧАНИЯ |
|---|
| Текст примечания |
На 4-й с. обл. авт.: Алтухов В.И. - д-р физ.-мат. наук, проф., действ. чл. РАЕН, акад. РАЕ, Санкин А.В. - действ. чл. РАЕН |
| 320 ## - ПРИМЕЧАНИЯ О НАЛИЧИИ В ДОКУМЕНТЕ БИБЛИОГРАФИИ / УКАЗАТЕЛЯ |
|---|
| Текст примечания |
Библиогр.: с. 526-578 |
| 320 ## - ПРИМЕЧАНИЯ О НАЛИЧИИ В ДОКУМЕНТЕ БИБЛИОГРАФИИ / УКАЗАТЕЛЯ |
|---|
| Текст примечания |
Осн. тр. авт.: с. 579-582 |
| 330 ## - РЕЗЮМЕ ИЛИ РЕФЕРАТ |
|---|
| Текст примечания |
С единых позиций на основе квантовых формул Кубо-Гринвуда развиты модели и рассчитано поведение особенностей тепловых, электрических свойств кристаллов карбида кремния (SiC), его твердых растворов (SiC-AIN), реальных кристаллов, диэлектриков (подложки), сегнетоэлектриков, а также поведение - характеристики гетероструктур, диодов и светодиодов силовой электроники. В приложениях приведены значения использованных универсальных физических постоянных; показана структура монокристаллов SiC и его политипов; как пример приведен ряд программ расчета различных свойств, характеристик, рассмотренных в работе материалов, диодов и светодиодов. В работе выявлены новые квантовые эффекты теплового, электрического сопротивления, рассмотренных в работе материалов-систем. Описана запатентованная установка для выращивания совершенных монокристаллов SiC и SiC-AIN. Предложена новая нелинейная модель высоты барьера Шоттки. Рассчитаны ВАХ диодов и положения полос спектра светодиодов на основе твердых растворов карбида кремния |
| 510 1# - ПАРАЛЛЕЛЬНОЕ ЗАГЛАВИЕ |
|---|
| Связь между полями |
z11790 |
| Параллельное заглавие |
Models and calculations of the properties of materials, their structures, elements of power electronics (from SiC, SiC-AIN, GaN to diamond) |
| Язык заглавия |
английский |
| 606 1# - НАИМЕНОВАНИЕ ТЕМЫ КАК ПРЕДМЕТ |
|---|
| Наименование темы |
Силовая электроника |
| Тематический подзаголовок |
Физические основы |
| Код системы |
nlr_sh2 |
| Идентификатор авторитетной/нормативной записи |
RU\NLR\AUTH\6601705721 |
| 606 1# - НАИМЕНОВАНИЕ ТЕМЫ КАК ПРЕДМЕТ |
|---|
| Наименование темы |
Карборунд |
| Тематический подзаголовок |
Наноструктуры |
| Код системы |
nlr_sh2 |
| Идентификатор авторитетной/нормативной записи |
RU\NLR\AUTH\6601688086 |
| 606 1# - НАИМЕНОВАНИЕ ТЕМЫ КАК ПРЕДМЕТ |
|---|
| Наименование темы |
Карборунд |
| Тематический подзаголовок |
Монокристаллы |
| -- |
Производство |
| Код системы |
nlr_sh1 |
| -- |
nlr_sh2 |
| Идентификатор авторитетной/нормативной записи |
RU\NLR\AUTH\66526483 |
| 606 1# - НАИМЕНОВАНИЕ ТЕМЫ КАК ПРЕДМЕТ |
|---|
| Наименование темы |
Наноэлектроника |
| Тематический подзаголовок |
Физические основы |
| Код системы |
nlr_sh2 |
| Идентификатор авторитетной/нормативной записи |
RU\NLR\AUTH\661501456 |
| 606 1# - НАИМЕНОВАНИЕ ТЕМЫ КАК ПРЕДМЕТ |
|---|
| Наименование темы |
Сегнетоэлектрики |
| Тематический подзаголовок |
Кристаллы |
| Код системы |
nlr_sh1 |
| -- |
nlr_sh2 |
| Идентификатор авторитетной/нормативной записи |
RU\NLR\AUTH\66491443 |
| 610 0# - НЕКОНТРОЛИРУЕМЫЕ ПРЕДМЕТНЫЕ ТЕРМИНЫ |
|---|
| Предметный термин |
широкозонные материалы |
| 610 0# - НЕКОНТРОЛИРУЕМЫЕ ПРЕДМЕТНЫЕ ТЕРМИНЫ |
|---|
| Предметный термин |
карбид кремния - получение монокристалла |
| 610 0# - НЕКОНТРОЛИРУЕМЫЕ ПРЕДМЕТНЫЕ ТЕРМИНЫ |
|---|
| Предметный термин |
диоды с барьером Шоттки |
| 610 0# - НЕКОНТРОЛИРУЕМЫЕ ПРЕДМЕТНЫЕ ТЕРМИНЫ |
|---|
| Предметный термин |
наноматериалы экстремальной электроники |
| 610 0# - НЕКОНТРОЛИРУЕМЫЕ ПРЕДМЕТНЫЕ ТЕРМИНЫ |
|---|
| Предметный термин |
квантовый транспорт |
| 610 0# - НЕКОНТРОЛИРУЕМЫЕ ПРЕДМЕТНЫЕ ТЕРМИНЫ |
|---|
| Предметный термин |
андерсоновская локализация |
| 610 0# - НЕКОНТРОЛИРУЕМЫЕ ПРЕДМЕТНЫЕ ТЕРМИНЫ |
|---|
| Предметный термин |
фононный свойства наноматериалов |
| 610 0# - НЕКОНТРОЛИРУЕМЫЕ ПРЕДМЕТНЫЕ ТЕРМИНЫ |
|---|
| Предметный термин |
сегнетоэлектрики-полупроводники |
| 610 0# - НЕКОНТРОЛИРУЕМЫЕ ПРЕДМЕТНЫЕ ТЕРМИНЫ |
|---|
| Предметный термин |
дефекты кристаллов |
| 610 0# - НЕКОНТРОЛИРУЕМЫЕ ПРЕДМЕТНЫЕ ТЕРМИНЫ |
|---|
| Предметный термин |
кристаллы с парамагнитными центрами |
| 610 0# - НЕКОНТРОЛИРУЕМЫЕ ПРЕДМЕТНЫЕ ТЕРМИНЫ |
|---|
| Предметный термин |
сегнетоэлектрические кристаллы |
| 675 ## - УНИВЕРСАЛЬНАЯ ДЕСЯТИЧНАЯ КЛАССИФИКАЦИЯ (UDC/УДК) |
|---|
| Индекс |
537.226 |
| Издание |
4 |
| 686 1# - ИНДЕКСЫ ДРУГИХ КЛАССИФИКАЦИЙ |
|---|
| Индекс |
З264.5 |
| 686 1# - ИНДЕКСЫ ДРУГИХ КЛАССИФИКАЦИЙ |
|---|
| Индекс |
З843.323 |
| 686 1# - ИНДЕКСЫ ДРУГИХ КЛАССИФИКАЦИЙ |
|---|
| Индекс |
З844.1-01 |
| 700 #1 - ИМЯ ЛИЦА - ПЕРВИЧНАЯ ОТВЕТСТВЕННОСТЬ |
|---|
| Начальный элемент ввода |
Алтухов |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода |
В. И. |
| Даты |
1943- |
| Расширение инициалов личного имени |
Виктор Иванович |
| Идентификатор авторитетной/нормативной записи |
RU\NLR\AUTH\770242397 |
| 701 #1 - ИМЯ ЛИЦА - АЛЬТЕРНАТИВНАЯ ОТВЕТСТВЕННОСТЬ |
|---|
| Начальный элемент ввода |
Санкин |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода |
А. В. |
| Даты |
1956- |
| Расширение инициалов личного имени |
Александр Викторович |
| 790 #1 - ИМЯ ЛИЦА - АЛЬТЕРНАТИВНАЯ ФОРМА |
|---|
| Связь между полями |
z11 |
| Начальный элемент ввода |
Altuchov |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода |
V. I. |
| Даты |
1943- |
| Расширение инициалов личного имени |
Viktor Ivanovič |
| Идентификатор авторитетной/нормативной записи |
RU\NLR\AUTH\770242398 |
| 790 #1 - ИМЯ ЛИЦА - АЛЬТЕРНАТИВНАЯ ФОРМА |
|---|
| Связь между полями |
z11 |
| -- |
z11510 |
| Начальный элемент ввода |
Sankin |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода |
A.V. |
| Даты |
1956- |
| Расширение инициалов личного имени |
Aleksandr Viktorovič |
| 942 ## - ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ЗАПИСИ (АБИС) |
|---|
| Тип экземпляра АБИС |
Книга |
| 980 ## - КОЛЛЕКЦИЯ |
|---|
| Название коллекции |
Национальная библиография |