Применение математических моделей для выбора оптимальных параметров управления технологическим процессом постимплантационного отжига полупроводниковых структур, (На прим. InSb), Автореф. дис. на соиск. учен. степ. к.т.н., Спец. 05.13.16, Спец. 05.27.06
[98-5849а]/русский/Применение математических моделей для выбора оптимальных параметров управления технологическим процессом постимплантационного отжига полупроводниковых структур : (На прим. InSb) : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. к.т.н. : Спец. 05.13.16 : Спец. 05.27.06 / [Моск. гос. акад. тонкой хим. технологии (МИТХТ) им. М.В. Ломоносова].Применение математических моделей для выбора оптимальных параметров управления технологическим процессом постимплантационного отжига полупроводниковых структур : (На прим. InSb) : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. к.т.н. : Спец. 05.13.16 : Спец. 05.27.06 / [Моск. гос. акад. тонкой хим. технологии (МИТХТ) им. М.В. Ломоносова].Применение математических моделей для выбора оптимальных параметров управления технологическим процессом постимплантационного отжига полупроводниковых структур : (На прим. InSb) : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. к.т.н. : Спец. 05.13.16 : Спец. 05.27.06.М./, 1998 ( ). - 1998. - 18 с. : ил. ; 21 см.Применение математических моделей для выбора оптимальных параметров управления технологическим процессом постимплантационного отжига полупроводниковых структур : (На прим. InSb) : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. к.т.н. : Спец. 05.13.16 : Спец. 05.27.06. М., 1998 .
Библиогр.: с.18 (8 назв.). Библиогр.: с.18 (8 назв.).05.13.16/15105.27.06/
Библиогр.: с.18 (8 назв.). Библиогр.: с.18 (8 назв.).05.13.16/15105.27.06/