Российская национальная библиография

ГлавнаяО проектеКнижная память России Расширенный поиск
Описание RUSMARC Карточка

Исследование переходного слоя границы раздела SiO₂-Si

русский/Исследование переходного слоя границы раздела SiO₂-Si .Исследование переходного слоя границы раздела SiO₂-Si.Исследование переходного слоя границы раздела SiO₂-Si.Новосибирск/Ин-т физики полупроводников/, 1978 ( ). - Ин-т физики полупроводников, 1978. - 13 с. : граф. ; 20 см. - (Препринты докладов / Третий семинар "Физ. химия поверхности монокристалл. полупроводников" / АН СССР. Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников ; 10-12 окт. 1978 г. ; 21-78).Исследование переходного слоя границы раздела SiO₂-Si. Новосибирск, 1978 .
     На обл. только загл. сер. - Библиогр.: с. 13. Библиогр.: с. 13. Гершинский, А.Е., Александр Евсеевич .А.Е.Александр ЕвсеевичМиронова, Людмила Владимировна /"Физическая химия поверхности монокристалл. полупроводников", всесоюз. семинар (; 1978; Новосибирск)/
Связаться с нами:

тел.: 8-800-100-01-96 , 8(812)310-71-37

e-mail: office@nlr.ru