Электрические и оптические свойства полупроводников А³В⁵
[П244-77]/русский/Электрические и оптические свойства полупроводников А³В⁵ / [Отв. ред. акад. Н.Г. Басов].Электрические и оптические свойства полупроводников А³В⁵ / [Отв. ред. акад. Н.Г. Басов].Электрические и оптические свойства полупроводников А³В⁵.Москва/Наука/, 1976 ( ). - Наука, 1976. - 111 с. : ил. ; 26 см. - (АН СССР. Труды физического института имени П.Н. Лебедева ; Т. 89).Электрические и оптические свойства полупроводников А³В⁵. Москва, 1976 .
Содерж.: Локализация электронов в компенсированном арсениде галлия / И.Д. Воронова. Исследование спонтанного и когерентного излучения антимонида индия при двойной инжекции носителей заряда / С.П. Гришечкина. - Библиогр. в конце статей. Библиогр. в конце статей.
Содерж.: Локализация электронов в компенсированном арсениде галлия / И.Д. Воронова. Исследование спонтанного и когерентного излучения антимонида индия при двойной инжекции носителей заряда / С.П. Гришечкина. - Библиогр. в конце статей. Библиогр. в конце статей.