Электрические и оптические свойства полупроводников А³В⁵ (Запись № 6627645)
[ простой вид ]
| 000 -МАРКЕР | |
|---|---|
| контрольное поле | 01777nam0a22003011 4500 |
| 001 - ИДЕНТИФИКАТОР ЗАПИСИ | |
| контрольное поле | rc\3567641 |
| 005 - ИДЕНТИФИКАТОР ВЕРСИИ | |
| контрольное поле | 20250610042958.0 |
| 021 ## - НОМЕР ГОСУДАРСТВЕННОЙ РЕГИСТРАЦИИ | |
| Код страны | российская федерация |
| Номер | П244-77 |
| 100 ## - ДАННЫЕ ОБЩЕЙ ОБРАБОТКИ | |
| Данные общей обработки | 20130115d1976 |||y0rusy50 ca |
| 101 0# - ЯЗЫК РЕСУРСА | |
| Язык текста, звукозаписи и т.д. | русский |
| 102 ## - СТРАНА ПУБЛИКАЦИИ ИЛИ ПРОИЗВОДСТВА | |
| Страна публикации | российская федерация |
| 105 ## - ПОЛЕ КОДИРОВАННЫХ ДАННЫХ: ТЕКСТОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ, МОНОГРАФИЧЕСКИЕ | |
| Кодированные данные о монографическом текстовом документе | a z ||||| |
| 200 1# - ЗАГЛАВИЕ И СВЕДЕНИЯ ОБ ОТВЕТСТВЕННОСТИ | |
| Основное заглавие | Электрические и оптические свойства полупроводников А³В⁵ |
| Первые сведения об ответственности | [Отв. ред. акад. Н.Г. Басов] |
| 210 ## - ПУБЛИКАЦИЯ, РАСПРОСТРАНЕНИЕ И ДР. | |
| Место издания, распространения и т.д. | Москва |
| Имя издателя, распространителя и т. д. | Наука |
| Дата издания, распространения и т.д. | 1976 |
| 215 ## - ФИЗИЧЕСКАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА | |
| Специфическое обозначение материала и объем | 111 с. |
| Другие сведения о физической характеристике | ил. |
| Размеры | 26 |
| 225 1# - СЕРИЯ | |
| Основное заглавие серии | АН СССР. Труды физического института имени П.Н. Лебедева |
| Обозначение тома | Т. 89 |
| 320 ## - ПРИМЕЧАНИЯ О НАЛИЧИИ В ДОКУМЕНТЕ БИБЛИОГРАФИИ / УКАЗАТЕЛЯ | |
| Текст примечания | Библиогр. в конце статей |
| 327 1# - ПРИМЕЧАНИЯ О СОДЕРЖАНИИ | |
| Текст примечания | Содерж.: Локализация электронов в компенсированном арсениде галлия / И.Д. Воронова. Исследование спонтанного и когерентного излучения антимонида индия при двойной инжекции носителей заряда / С.П. Гришечкина |
| 464 #0 - АНАЛИТИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | |
| Встроенное поле | 2001#$aИсследование спонтанного и когерентного излучения антимонида индия при двойной инжекции носителей заряда |
| -- | 700#1$aГришечкина$bС.П. |
| 464 #0 - АНАЛИТИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | |
| Встроенное поле | 2001#$aЛокализация электронов в компенсированном арсениде галлия |
| -- | 700#1$aВоронова$bИ.Д. |
| 702 #1 - ИМЯ ЛИЦА - ВТОРИЧНАЯ ОТВЕТСТВЕННОСТЬ | |
| Начальный элемент ввода | Басов |
| Часть имени, кроме начального элемента ввода | Н.Г. |
| Расширение инициалов личного имени | Николай Геннадиевич |
| Код отношения | Редактор |
| 852 ## - | |
| -- | NLR |
| -- | П7/366 |
| 942 ## - ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ЗАПИСИ (АБИС) | |
| Тип экземпляра АБИС | Книга |
Нет доступных экземпляров.