Численное моделирование диффузии примесей III и V групп в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации
91-4/9815 русский (rus)/Численное моделирование диффузии примесей III и V групп в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации / Т.В. Бондарева, В.И. Кольдяев, Л.Н. Александров.Численное моделирование диффузии примесей III и V групп в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации / Т.В. Бондарева, В.И. Кольдяев, Л.Н. Александров.Численное моделирование диффузии примесей III и V групп в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации.Новосибирск/Ин-т физики полупроводников/, 1991 ( ). - Ин-т физики полупроводников, 1991. - [1], 20 c. : ил. ; 19 см. - (Препринт / АН СССР. Сиб. отд-ние. Ин-т физики полупроводников ; 4).Численное моделирование диффузии примесей III и V групп в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации. Новосибирск, 1991 .
Библиогр.: с. 16-17. Библиогр.: с. 16-17.Кремний -- Легирование ионное/Кремний -- Примеси -- Диффузия/nlr_sh1/nlr_sh1/
Библиогр.: с. 16-17. Библиогр.: с. 16-17.Кремний -- Легирование ионное/Кремний -- Примеси -- Диффузия/nlr_sh1/nlr_sh1/