Semiconductor devices based on gallium arsenide with deep impurity centers : a monograph / S. S. Khludkov, O. P. Tolbanov, M. D. Vilisova [et al.] ; edited by O. P. Tolbanov, Professor, Doctor of physical and mathematical sciences ; Ministry of science and higher education of the Russian Federation, National research Tomsk state university
Перевод заглавия, сделанный каталогизатором: : Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами : монография / С. С. Хлудков, О. П. Толбанов, М. Д. Вилисова [и др.] ;Язык: английский ; оригинала, русский.Выходные данные: Tomsk : TSU press, 2024Физическая характеристика: 251 с. : ил. ; 25 см.ISBN: 978-5-907722-96-5 Библиография: Библиогр.: с. 221-248.Предметная рубрика - Тема: Полупроводниковые приборы -- Физические основы | Арсениды галлия легированные -- Физические свойства Другие классификации: З843.324.406.3 ; З852-01 Тип экземпляра: Книга| Тип экземпляра | Текущая библиотека | Шифр хранения | Кол-во копий | Статус | Срок возврата | Штрих-код | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Книга | РНБ (Московский) Иностранный книжный фонд | Ик 2025-7/98 (Просмотр полки(Открывается ниже)) | КН-П-7104 | Доступно | 1-4859473 |
Просмотр РНБ (Московский) полок, Местонахождение: Иностранный книжный фонд Закрыть просмотр полки (Скрывает браузер полки)
Представлены методы легирования GaAs примесями переходных металлов Fe, Cr, Mn и описаны свойства GaAs.
Библиогр.: с. 221-248