Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами = Semiconductor devices based on gallium arsenide with deer impurity centers : [монография] / С.С. Хлудков, О.П. Толбанов, М.Д. Вилисова, И.А. Прудаев ; под редакцией О.П. Толбанова, профессора, доктора физико-математических наук ; Министерство образования и науки Российской Федерации, Национальный исследовательский Томский государственный университет
Параллельное заглавие: : Semiconductor devices based on gallium arsenide with deer impurity centers, английскийЯзык: русский ; английский.Выходные данные: Томск : Издательский Дом Томского государственного университета, 2016Физическая характеристика: 256 с. : ил., табл. ; 24 см.ISBN: 978-5-94621-556-5 Примечания: Авт. также на англ. яз.: S.S. Khludkov, O.P. Tolbanov, M.D. Vilisova, I.A. Prudaev; Часть текста на англ. яз..Библиография: Библиогр.: с. 228-253.Предметная рубрика - Тема: Арсениды галлия легированные -- Физические свойства Неконтролируемые предметные термины: спинтроника - материалы | s-диоды | фотоприемникиДругие классификации: ( ) З843.324.406.33,0 ; З843.324.406.3Коллекция: НБР ; Национальная библиография Тип экземпляра: Книга| Тип экземпляра | Текущая библиотека | Шифр хранения | Кол-во копий | Статус | Срок возврата | Штрих-код | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Книга | РНБ (Московский) Русский книжный фонд: издания с 1957 года | 2017-7/1472 (Просмотр полки(Открывается ниже)) | 752 | Доступно | 1-1767373 | ||
| Книга | РНБ (Московский) Русский книжный фонд: издания с 1957 года | 2017-7/1472 (Просмотр полки(Открывается ниже)) | 752 | Доступно | 1-1767372 |
Авт. также на англ. яз.: S.S. Khludkov, O.P. Tolbanov, M.D. Vilisova, I.A. Prudaev
Часть текста на англ. яз.
Библиогр.: с. 228-253