О возможности применения слабо легированных пленок GaAs р-типа для фотоэмиссии электронов высокой поляризации из гетероструктуры GaAs-(AlGa)As в электростатическом однородном внешнем поле
91-4/7037 русский (rus)/О возможности применения слабо легированных пленок GaAs р-типа для фотоэмиссии электронов высокой поляризации из гетероструктуры GaAs-(AlGa)As в электростатическом однородном внешнем поле .О возможности применения слабо легированных пленок GaAs р-типа для фотоэмиссии электронов высокой поляризации из гетероструктуры GaAs-(AlGa)As в электростатическом однородном внешнем поле.О возможности применения слабо легированных пленок GaAs р-типа для фотоэмиссии электронов высокой поляризации из гетероструктуры GaAs-(AlGa)As в электростатическом однородном внешнем поле.Ереван/[М.]/ЦНИИ информ. и техн.-экон. исслед. по атом. науке и технике/, 1991 ( ). - ЦНИИ информ. и техн.-экон. исслед. по атом. науке и технике, 1991. - 16 с. ; 20 см. - (Препринт / Ерев. физ. ин-т ; ЕФИ-1323 (18)-91).О возможности применения слабо легированных пленок GaAs р-типа для фотоэмиссии электронов высокой поляризации из гетероструктуры GaAs-(AlGa)As в электростатическом однородном внешнем поле. Ереван, [М.], 1991 .
Библиогр.: с. 16 (12 назв.). Библиогр.: с. 16 (12 назв.).
Библиогр.: с. 16 (12 назв.). Библиогр.: с. 16 (12 назв.).