ПРИМЕНЕНИЕ методов ионного легирования для создания р-n переходов на InSb и InAs
91-4/3007 русский (rus)/ПРИМЕНЕНИЕ методов ионного легирования для создания р-n переходов на InSb и InAs / Герасименко Н.Н., Гузев А.А., Курышев Г.Л. и др.ПРИМЕНЕНИЕ методов ионного легирования для создания р-n переходов на InSb и InAs / Герасименко Н.Н., Гузев А.А., Курышев Г.Л. и др.ПРИМЕНЕНИЕ методов ионного легирования для создания р-n переходов на InSb и InAs.Новосибирск/Ин-т физики полупроводников/, 1991 ( ). - Ин-т физики полупроводников, 1991. - 39 с. : граф. ; 19 см. - (Препринт / АН СССР. Сиб. отд-ние. Ин-т физики полупроводников ; 2).ПРИМЕНЕНИЕ методов ионного легирования для создания р-n переходов на InSb и InAs. Новосибирск, 1991 .
Библиогр.: с. 35-38. Библиогр.: с. 35-38.Полупроводники -- Переходы p-n/nlr_sh1/
Библиогр.: с. 35-38. Библиогр.: с. 35-38.Полупроводники -- Переходы p-n/nlr_sh1/