Электрические и оптические свойства полупроводников А³В⁵ / [Отв. ред. акад. Н.Г. Басов]
Язык: русский.Выходные данные: Москва : Наука, 1976Физическая характеристика: 111 с. : ил. ; 26 см.Серия: АН СССР. Труды физического института имени П.Н. Лебедева ; Т. 89Содержание: Содерж.: Локализация электронов в компенсированном арсениде галлия / И.Д. Воронова. Исследование спонтанного и когерентного излучения антимонида индия при двойной инжекции носителей заряда / С.П. Гришечкина Библиография: Библиогр. в конце статей. Тип экземпляра: Книга| Тип экземпляра | Текущая библиотека | Шифр хранения | Статус | Срок возврата | Штрих-код | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Книга | РНБ (Московский) Русский журнальный фонд | П7/366 (Просмотр полки(Открывается ниже)) | Доступно | 7689640-10 |
Библиогр. в конце статей
Содерж.: Локализация электронов в компенсированном арсениде галлия / И.Д. Воронова. Исследование спонтанного и когерентного излучения антимонида индия при двойной инжекции носителей заряда / С.П. Гришечкина